Hersteller Produktnummer:
BUZ73A H
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BUZ73A H-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12802527
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Menge
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BUZ73A H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000683004
BUZ73A H-DG
BUZ73AHXKSA1
BUZ73AH
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFI630GPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1686
TEILNUMMER
IRFI630GPBF-DG
Einheitspreis
1.16
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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